电子元器件,场效应管
N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求和性的中低频应用,如PC/NB主板、负载开关和无线充等。
1.较低的导通损耗和开关损耗
2.雪崩能力强
3.雪崩测试
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