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VS3622AEN沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化

发布者:孙小姐 | 来源:深圳市大东微电子有限公司发布时间:2024-01-06
产品单价
面议
起订量
1
供货总量
不限量
发货期限
自买家付款之日起3天内发货
品牌
威兆
   

描述

N沟道增强型功率MOSFET采用Trench工艺针对更低Rds(on)和更高载流能力进行优化。该类产品非常适合要求和性的中低频应用,如PC/NB主板、负载开关和无线充等。

主要特点

1.较低的导通损耗和开关损耗

2.雪崩能力强

3.雪崩测试


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联系人 孙小姐
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手机 򈊡򈊣򈊨򈊠򈊢򈊢򈊥򈊡򈊨򈊥򈊣 邮箱 2531285426@qq.com
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主营产品 电子元器件,场效应管 网址 http://ddw888.b2b.huangye88.com/
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