GR8853A是一种高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器

GR8853A是一种高压、高速、自振荡功率MOSFET和IGBT驱动器，具有高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和闩锁CMOS技术可实现坚固的单片结构。前端设有一个可编程振荡器，类似于555定时器。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级和内部死区时间，设计用于小驱动器交叉导通。两个通道的传播延迟匹配，以简化在50%占空比应用中的使用。浮动通道可用于驱动高侧配置的N-MOSFET或IGBT，工作在高达600伏的高压轨道上。